SiC-gelijkrichters

Met de schakelende Schottky siliciumcarbide diodes van STMicroelectronics' kunnen ontwerpers efficiënter werken en een hogere vermogensdichtheid behalen. De familie SiC-diodes van ST zijn er voor stroomsterktes van 2 tot 40 A en spanningsniveaus van 650 en 1200 V. Ze zijn er speciaal voor industriële toepassingen, terwijl de voor toepassingen in de automobielindustrie gecertificeerde AEC-Q101 er in uitvoeringen voor oppervlaktemontage als DPAK HV (hoogspanning) en D²PAK en bedraad als TO-220AC en TO-247LL (lange aansluitingen) is.

Met de productlijn 1200 V siliciumcarbide (SiC) JBS (Junction Barrier Schottky) diodes van ST kunnen ontwerpers een zeer hoge efficiëntie, laag gewicht, kleine afmetingen en betere thermische eigenschappen krijgen voor veeleisende toepassingen.

De 1200 V SiC-diodes van ST hebben een bijzonder lage doorlaatspanning (lage V_F) en voldoen aan de huidige eisen van robuustheid. Ze zijn efficiënter en betrouwbaarder met een lagere nominale stroomsterkte en dus lagere kosten, bij een lagere bedrijfstemperatuur en langere levensduur. Ze zijn perfect geschikt voor schakelende omvormers waar een extreme vermogensdichtheid en efficiëntie nodig zijn, bijvoorbeeld bij een SMPS, UPS, zonnepanelen en motoraandrijvingen.

De 1200 V SiC-diodes van ST zijn er voor stroomsterktes van 2 tot 40 A . Ze zijn er speciaal voor industriële toepassingen, terwijl de voor toepassingen in de automobielindustrie gecertificeerde AEC-Q101 er in uitvoeringen voor oppervlaktemontage als DPAK HV (hoogspanning) en D²PAK en bedraad als TO-220AC en TO-247LL (lange aansluitingen) is.

De 1200 V SiC-diodes van ST hebben hoge prestaties en een kleine vormfactor.