Microchip Technology

De Discrete Producten van de Halfgeleider van het siliciumcarbide

Microchip Technology's siliciumcarbide halfgeleider discrete producten werken bij hoge temperaturen en verbeteren de betrouwbaarheid bij verhoogde vermogensdichtheid.

Image of Microchip Technology's Silicon Carbide Semiconductor Discrete ProductsDe siliciumcarbide (SiC) halfgeleidersvan Microchip Technology bieden een innovatieve optie voor ontwerpers van vermogenselektronica die op zoek zijn naar een betere systeemefficiëntie, een kleinere vormfactor en een hogere bedrijfstemperatuur in industriële, transport-/automobiel-, medische, luchtvaart-/luchtvaart-, defensie- en communicatietoepassingen. De volgende generatie SiC MOSFET's en SiC SBD's zijn ontworpen met een hoger repetitief vermogen tot niet-geklemd inductief schakelen (UIS) bij een nominale inschakelweerstand of stroom. Deze SiC MOSFET's hebben een hoge UIS-capaciteit van ongeveer 10 joule tot 25 joule per vierkante centimeter (J/cm2) en een robuuste kortsluitingsbescherming. De SiC Schottky barrier diodes (SBD's) van Microchip zijn ontworpen met gebalanceerde piekstroom, voorwaartse spanning, thermische weerstand en thermische capaciteitswaarden bij een lage sperstroom voor lager schakelverlies. Bovendien kunnen de SiC MOSFET en SiC SBD-matrijs worden gekoppeld voor gebruik in modules. SiC MOSFET en SiC SBD producten van Microchip zullen worden gekwalificeerd volgens de AEC-Q101 standaard.

Eigenschappen

  • Extreem lage schakelverliezen verbeteren de systeemefficiëntie
  • Hoge vermogensdichtheid voor kleinere voetafdruk om omvang en gewicht te beperken
  • 3x meer thermisch geleidend dan silicium
  • Minder spoelbakken nodig om kleiner en lichter te worden
  • Werking bij hoge temperatuur verbetert betrouwbaarheid bij hogere vermogensdichtheid
  • Bewezen betrouwbaarheid/robuustheid, leveringsketen en ondersteuning met Microchip-kwaliteit, -levering en -ondersteuning.

Toepassingen

  • Industrieel: Motoraandrijvingen, lassen, UPS, SMPS, inductieverwarming
  • Vervoer/automobiel: Batterijladers voor elektrische voertuigen (EV), boordladers, aandrijflijnen voor hybride elektrische voertuigen (HEV), DC-DC converters, terugwinning van energie.
  • Slimme energie: Fotovoltaïsche (PV) omvormers, windturbines
  • Medisch: MRI-voedingen, röntgenvoedingen
  • Commerciële luchtvaart: Bediening, airconditioning, stroomverdeling
  • Defensie: Motoraandrijvingen, hulpaggregaten en geïntegreerde voertuigsystemen.

Diodes - Bridge Rectifiers

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
BRIDGE RECT 3PHASE 700V 50AMSCDC50X701AGBRIDGE RECT 3PHASE 700V 50A7 - Immediate$73.74Details weergeven
BRIDGE RECT 1PHASE 1.7KV 50AMSCDC50H1701AGBRIDGE RECT 1PHASE 1.7KV 50A7 - Immediate$138.35Details weergeven
BRIDGE RECT 1P 700V 50A SOT227MSC50DC70HJBRIDGE RECT 1P 700V 50A SOT22715 - Immediate$39.70Details weergeven
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6MSCDC100H170AGBRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP60 - Immediate$326.47Details weergeven
BRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP6MSCDC200H70AGBRIDGE RECT 1PHASE 700V 200A SP62 - Immediate$223.78Details weergeven

Diodes - Rectifiers - Arrays

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT227MSC50DC170HJBRIDGE RECT 1P 1.7KV 50A SOT2270 - Immediate$122.58Details weergeven
BRIDGE RECT 3PHASE 1.7KV 50AMSCDC50X1701AGBRIDGE RECT 3PHASE 1.7KV 50A3 - Immediate$195.90Details weergeven
BRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A SP6MSCDC100H120AGBRIDGE RECT 1P 1.2KV 100A SP60 - Immediate$190.87Details weergeven
BRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50AMSCDC50X1201AGBRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 50A5 - Immediate$100.52Details weergeven
BRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP6MSCDC100H170AGBRIDGE RECT 1P 1.7KV 100A SP60 - Immediate$326.47Details weergeven

Diodes - Rectifiers - Single

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
DIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3MSC050SDA070BCTDIODE SIL CARB 700V 88A TO247-3274 - Immediate$10.08Details weergeven
DIODE SIL CARB 1200V 109A TO2473MSC050SDA120BCTDIODE SIL CARB 1200V 109A TO247391 - Immediate$28.34Details weergeven
DIODE SIL CARB 700V 60A TO247-3MSC030SDA070BCTDIODE SIL CARB 700V 60A TO247-30 - Immediate$5.81Details weergeven
DIODE SIL CARB 1200V 65A TO2473MSC030SDA120BCTDIODE SIL CARB 1200V 65A TO247324 - Immediate$17.57Details weergeven
DIODE SIL CARB 1700V 136A TO247MSC050SDA170BDIODE SIL CARB 1700V 136A TO24780 - Immediate$36.79Details weergeven

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
MOSFET 6N-CH 700V 238A SP6-PMSCSM70TAM10CTPAGMOSFET 6N-CH 700V 238A SP6-P0 - Immediate$488.90Details weergeven
MOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3FMSCSM120TAM31CT3AGMOSFET 6N-CH 1200V 89A SP3F3 - Immediate$236.65Details weergeven
MOSFET 2N-CH 700V 353A SP3FMSCSM70AM07CT3AGMOSFET 2N-CH 700V 353A SP3F1 - Immediate$223.62Details weergeven
MOSFET 6N-CH 1200V 251A SP6-PMSCSM120TAM11CTPAGMOSFET 6N-CH 1200V 251A SP6-P1 - Immediate$664.25Details weergeven
MOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3FMSCSM120HM31CT3AGMOSFET 4N-CH 1200V 89A SP3F0 - Immediate$166.79Details weergeven

Transistors - FETs, MOSFETs – Single

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-4MSC035SMA070B4TRANS SJT N-CH 700V 77A TO247-40 - Immediate$9.86Details weergeven
SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3MSC025SMA120BSICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3154 - Immediate$34.66Details weergeven
SICFET N-CH 700V 131A TO247-3MSC015SMA070BSICFET N-CH 700V 131A TO247-3211 - Immediate$16.19Details weergeven
SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4MSC080SMA120B4SICFET N-CH 1200V 37A TO247-423 - Immediate$7.98Details weergeven
SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT227MSC70SM120JCU3SICFET N-CH 1.2KV 89A SOT22710 - Immediate$47.49Details weergeven
Published: 2021-11-01

Related Videos

What is a Diode? – ATM | DigiKey
What is a Diode? – ATM | DigiKey

Publicatiedatum: 2021-10-04

Related Product Highlight

High-Voltage Auxiliary E-Fuse Reference Design Microchip's auxiliary E-Fuse technology has risk reduction through reliability and accelerated development.
Next Generation SiC Schottky Barrier Diodes Microsemi announces the release of 1200 V, 10 A, and 20 A SiC Schottky barrier diode products with 30 A and 50 A SiC diodes coming soon.

Related Articles and Blogs

Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency of High-performance Switching Converters Using SiC Power Semiconductors to Increase the Efficiency
Wide bandgap-halfgeleiders hervormen de transportwereld De hele transportsector ondergaat een radicale transformatie met oplossingen voor elektrische en hybride auto's en schoner massavervoer.
Wide Band Gap-halfgeleiders in ruimtevaart- en satelliettoepassingen Wide Band Gap-halfgeleiders bieden verschillende voordelen bij vermogensomzetting, zoals een hogere vermogensdichtheid en efficiëntie, en een geringere omvang en gewicht van het systeem.