Instellingen
Snelle levering
Gratis verzending
Incoterms
Betalingswijzen
Marketplace-product
SIHP12N65E-GE3 is niet op voorraad en kan nabesteld worden.
Beschikbare alternatieven:
Similar
Similar
Similar
Similar
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
SIHP12N65E-GE3 | |
|---|---|
Productnummer DigiKey | SIHP12N65E-GE3-ND |
Fabrikant | |
Productnummer fabrikant | SIHP12N65E-GE3 |
Beschrijving | MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB |
Standaard levertijd fabrikant | 25 weken |
Klantreferentie | |
Gedetailleerde beschrijving | N-kanaal 650 V 12 A (Tc) 156W (Tc) Through-hole TO-220AB |
Gegevensblad | Gegevensblad |
EDA/CAD-modellen | SIHP12N65E-GE3 Modellen |
Productkenmerken
Type | Beschrijving | Alles selecteren |
|---|---|---|
Categorie | ||
Fabr. | ||
Serie | - | |
Verpakking | Buis | |
Status onderdeel | Actief | |
FET-type | ||
Technologie | ||
Spanning ontlading-bron (Vdss) | 650 V | |
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C | ||
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds aan (max.) bij Id, Vgs | 380mOhm @ 6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bij Id | 4V @ 250µA | |
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs | 70 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±30V | |
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds | 1224 pF @ 100 V | |
FET-kenmerk | - | |
Vermogensdissipatie (max.) | 156W (Tc) | |
Bedrijfstemperatuur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Soort | - | |
Kwalificatie | - | |
Type montage | Through-hole | |
Apparaatpakket leverancier | TO-220AB | |
Verpakking / doos | ||
Basisproductnummer |
0 op voorraad
Levertijd controleren
Voorraadmelding aanvragen
Aantal
Alle prijzen zijn in EUR
Buis
| Aantal | Eenheidsprijs | Ext Prijs |
|---|---|---|
| 1 | 2,68000 € | 2,68 € |
| 10 | 1,73600 € | 17,36 € |
| 100 | 1,20210 € | 120,21 € |
| 500 | 0,97378 € | 486,89 € |
| 1.000 | 0,90042 € | 900,42 € |
| 2.000 | 0,83875 € | 1.677,50 € |
| 5.000 | 0,82591 € | 4.129,55 € |
| Eenheidsprijs zonder BTW: | 2,68000 € |
|---|---|
| Eenheidsprijs met BTW: | 3,24280 € |
België