AOT11S65L is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.
Beschikbare alternatieven:

Direct


IXYS
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 1,72023 €
Gegevensblad

Similar


onsemi
Op voorraad: 2.299
Eenheidsprijs : 3,33000 €
Gegevensblad

Similar


Infineon Technologies
Op voorraad: 1.000
Eenheidsprijs : 2,69000 €
Gegevensblad

Similar


Rochester Electronics, LLC
Op voorraad: 24.833
Eenheidsprijs : 1,45966 €
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 231
Eenheidsprijs : 5,50000 €
Gegevensblad

Similar


IXYS
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 0,00000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 2,25000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 977
Eenheidsprijs : 6,03000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 1,09769 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 0
Eenheidsprijs : 2,25000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 1.344
Eenheidsprijs : 4,41000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 869
Eenheidsprijs : 2,71000 €
Gegevensblad

Similar


STMicroelectronics
Op voorraad: 999
Eenheidsprijs : 2,81000 €
Gegevensblad

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Op voorraad: 70
Eenheidsprijs : 3,98000 €
Gegevensblad
TO-220-3
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

AOT11S65L

Productnummer DigiKey
785-1510-5-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
AOT11S65L
Beschrijving
MOSFET N-CH 650V 11A TO220
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 650 V 11 A (Tc) 198W (Tc) Through-hole TO-220
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Verouderd
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
399mOhm @ 5,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id
4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
13.2 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
646 pF @ 100 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
198W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-220
Verpakking / doos
Basisproductnummer
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Verouderd
Dit product wordt niet meer gemaakt. Vervangende producten bekijken.