Name: IMW65R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Price: 29.04 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMW65R007M2HXKSA1
Productnummer DigiKey	448-IMW65R007M2HXKSA1-ND
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMW65R007M2HXKSA1
Beschrijving	SILICON CARBIDE MOSFET
Standaard levertijd fabrikant	23 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 171 A (Tc) 625W (Tc) Through-hole PG-TO247-3-U06
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IMW65R007M2HXKSA1 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™
Verpakking	Buis
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	650 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	171 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 20V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	6,1mOhm @ 146,3A, 20V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,6V @ 29,7mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	179 nC @ 18 V
Vgs (max.)	+23V, -7V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	6359 pF @ 400 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	625W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Through-hole
Apparaatpakket leverancier	PG-TO247-3-U06
Verpakking / doos	TO-247-3

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 1.100

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Buis

Aantal	Eenheidsprijs	Ext Prijs
1	24,00000 €	24,00 €
30	15,56700 €	467,01 €
120	15,39617 €	1.847,54 €

Standaardpakket van de fabrikant

Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.