Name: IMSQ120R026M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND
Price: 22.9174 EUR
Availability: InStock

MOSFET's - Arrays 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-16-221

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMSQ120R026M2HHXUMA1
Productnummer DigiKey	448-IMSQ120R026M2HHXUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMSQ120R026M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMSQ120R026M2HHXUMA1
Beschrijving	SICFET 2N-CH 1200V 83A HDSOP16
Standaard levertijd fabrikant	26 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 1200V (1,2kV) 83 A (Tc) 410W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-16-221
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays
Fabrikant	Infineon Technologies
Serie	CoolSiC™ G2
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
Technologie	SiCFET (siliciumcarbide)
Configuratie	2 N-kanaal (halve brug)
FET-kenmerk	-
Spanning ontlading-bron (Vdss)	1200V (1,2kV)
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	83 A (Tc)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	26mOhm @ 27A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id	5,1V @ 8,6mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	54nC @ 0V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1990pF @ 800V
Vermogen - max.	410W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Verpakking / doos	24-BSOP (0,606", 15,40mm breed), 16 draden, blootliggende pad
Apparaatpakket leverancier	PG-HDSOP-16-221