Name: IMSQ120R012M2HHXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND
Price: 44.5401 EUR
Availability: InStock

MOSFET's - Arrays 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-16-221

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IMSQ120R012M2HHXUMA1
Productnummer DigiKey	448-IMSQ120R012M2HHXUMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IMSQ120R012M2HHXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IMSQ120R012M2HHXUMA1
Beschrijving	SICFET 2N-CH 1200V 121A HDSOP16
Standaard levertijd fabrikant	49 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 1200V (1,2kV) 121A (Tc) 758W (Tc) Opbouwmontage PG-HDSOP-16-221
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays	Rds aan (max.) bij Id, Vgs 12mOhm @ 57A, 18V
Fabrikant Infineon Technologies	Vgs(th) (max.) bij Id 5,1V @ 17,8mA
Serie CoolSiC™ G2	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 109nC @ 0V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 4050pF @ 800V
Status onderdeel Actief	Vermogen - max. 758W (Tc)
Technologie SiCFET (siliciumcarbide)	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)
Configuratie 2 N-kanaal (halve brug)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 1200V (1,2kV)	Verpakking / doos 24-BSOP (0,606", 15,40mm breed), 16 draden, blootliggende pad
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 121A (Tc)	Apparaatpakket leverancier PG-HDSOP-16-221