Name: IGB110S10S1XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND
Price: 2.3474 EUR
Availability: OutOfStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+32) 53 33 80 45 eu.support@digikey.com

IGB110S10S1XTMA1
Productnummer DigiKey	448-IGB110S10S1XTMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGB110S10S1XTMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGB110S10S1XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IGB110S10S1XTMA1
Beschrijving	MV GAN DISCRETES
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 9 A (Ta), 23 A (Tc) 2,5W (Ta), 15W (Tc) Opbouwmontage PG-TSON-4-2
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IGB110S10S1XTMA1 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Infineon Technologies
Serie	CoolGaN™
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	GaNFET (galliumnitride)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	9 A (Ta), 23 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	5V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	11mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,9V @ 3mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	3.4 nC @ 5 V
Vgs (max.)	±6,5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	340 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,5W (Ta), 15W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PG-TSON-4-2
Verpakking / doos	4-PowerTDFN

Eenheidsprijs zonder BTW:	1,94000 €
Eenheidsprijs met BTW:	2,34740 €

IGB110S10S1XTMA1