Name: IGT65R025D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND
Price: 13.1164 EUR
Availability: OutOfStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

IGT65R025D2ATMA1
Productnummer DigiKey	448-IGT65R025D2ATMA1TR-ND - Tape & Reel (TR) 448-IGT65R025D2ATMA1CT-ND - Cut Tape (CT) 448-IGT65R025D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Infineon Technologies
Productnummer fabrikant	IGT65R025D2ATMA1
Beschrijving	GANFET N-CH 650V 70A 8PSFN
Standaard levertijd fabrikant	27 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 650 V 70 A (Tc) 236W (Tc) Opbouwmontage PG-HSOF-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	IGT65R025D2ATMA1 Modellen

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 1,6V @ 6,1mA
Fabr. Infineon Technologies	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 11 nC @ 3 V
Serie CoolGaN™ G5	Vgs (max.) -10V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 780 pF @ 400 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 236W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie GaNFET (galliumnitride)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 650 V	Apparaatpakket leverancier PG-HSOF-8
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 70 A (Tc)	Verpakking / doos 8-PowerSFN
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 30mOhm @ 18A