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TK9P65W,RQ | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | TK9P65WRQTR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | TK9P65W,RQ |
Description | MOSFET N-CH 650V 9.3A DPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 16 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 9,3 A (Ta) 80W (Tc) Montage en surface DPAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | TK9P65W,RQ Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 350µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700 pF @ 300 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 80W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur DPAK |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 560mohms à 4,6A, 10V |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| FCD600N60Z | onsemi | 15 045 | FCD600N60ZCT-ND | 2,58000 € | Similaire |
| IPD60R520C6BTMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD60R520C6BTMA1TR-ND | 0,00000 € | Similaire |
| IPD60R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | 0 | IPD60R600C6BTMA1TR-ND | 0,00000 € | Similaire |
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 18 938 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | 0,99000 € | Similaire |
| IXFY8N65X2 | IXYS | 44 | IXFY8N65X2-ND | 3,65000 € | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en EUR
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 1,00651 € | 2 013,02 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 1,00651 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 1,21788 € |
