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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
IPD60R520C6BTMA1 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IPD60R520C6BTMA1TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IPD60R520C6BTMA1 |
Description | MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 8,1 A (Tc) 66W (Tc) Montage en surface PG-TO252-3 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 230µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 23.4 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 512 pF @ 100 V |
Statut du composant En fin de cycle chez DigiKey | Dissipation de puissance (max.) 66W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur PG-TO252-3 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 520mohms à 2,8A, 10V |
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Substituts (12)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 3 873 | 785-1266-1-ND | 2,34000 € | Similaire |
| FCD7N60TM-WS | onsemi | 1 188 | FCD7N60TM-WSCT-ND | 2,80000 € | Similaire |
| IXTY8N65X2 | IXYS | 345 | IXTY8N65X2-ND | 3,61000 € | Similaire |
| IXTY8N70X2 | IXYS | 231 | IXTY8N70X2-ND | 3,90000 € | Similaire |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 30 | SIHD7N60E-GE3-ND | 2,49000 € | Similaire |
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