JFET

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Tension - Claquage (V(BR)GSS)
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain (Idss) à Vds (Vgs=0)
Drain de courant (Id) - Max.
Tension - Blocage (VGS off) à Id
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Résistance - RDS(On)
Puissance - Max.
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier
Boîtier fournisseur
3 XFDFN
JFET N-CH 30V 10MA SOT883
onsemi
65 965
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,08391 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
30 V
30 V
1.2 mA @ 10 V
10 mA
180 mV @ 1 µA
4pF à 10V
-
100 mW
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
3-XFDFN
SOT-883 (XDFN3) (1x0,6)
SOT 23-3
JFET P-CH 30V SOT23-3
onsemi
4 824
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09507 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
30 V
-
7 mA @ 15 V
-
3 V @ 10 nA
11pF à 10V (VGS)
125 Ohms
225 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
SOT 23-3
JFET P-CH 30V SOT23-3
onsemi
1 540
En stock
1 : 0,43000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09507 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
30 V
-
1.5 mA @ 15 V
-
800 mV @ 10 nA
11pF à 10V (VGS)
300 Ohms
225 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
MMBD1401ALT1G
JFET N-CH 40V SOT23-3
onsemi
58 937
En stock
1 : 0,46000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,10146 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
40 V
40 V
200 µA @ 20 V
-
300 mV @ 10 nA
-
-
350 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BCV27
JFET N-CH 25V SOT23-3
onsemi
20 257
En stock
1 : 0,51000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,11533 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
25 V
-
1 mA @ 15 V
-
500 mV @ 10 nA
7pF à 15V
-
350 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2SK932-24-TB-E
JFET N-CH 50MA SMCP
onsemi
23 619
En stock
1 : 0,55000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12690 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
-
15 V
10 mA @ 5 V
50 mA
200 mV @ 100 µA
-
-
200 mW
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SMCP
MMBD1401ALT1G
JFET N-CH 40V SOT23-3
onsemi
59 089
En stock
1 : 0,56000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,12748 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
40 V
-
30 µA @ 10 V
-
600 mV @ 1 nA
3pF à 10V
-
225 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MMBD1401ALT1G
JFET P-CH 30V SOT23-3
onsemi
45 040
En stock
1 : 0,58000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13541 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
30 V
-
2 mA @ 15 V
-
500 mV @ 1 nA
-
-
225 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
3-CP
JFET N-CH 5V 3CP
onsemi
1 589
En stock
1 : 0,60000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13898 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
15 V
15 V
20 mA @ 5 V
50 mA
1.5 V @ 100 µA
10pF à 5V
-
200 mW
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
3-CP
13 664
En stock
1 : 0,62000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,13926 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
50 V
-
14 mA @ 10 V
14 mA
1.5 V @ 100 nA
13pF à 10V
-
150 mW
125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SC-59
3 804
En stock
1 : 3,26000 €
En vrac
-
En vrac
Actif
Canal N
40 V
-
5 mA @ 20 V
-
500 mV @ 1 nA
14pF à 20V
100 Ohms
1.8 W
-65°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-206AA, TO-18-3 boîtier métallique
TO-18
1 917
En stock
1 : 3,49000 €
En vrac
-
En vrac
Actif
Canal N
40 V
-
25 mA @ 20 V
-
2 V @ 1 nA
14pF à 20V
60 Ohms
1.8 W
-65°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-206AA, TO-18-3 boîtier métallique
TO-18
8-SOIC
JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC
Texas Instruments
761
En stock
1 : 3,92000 €
Bande coupée (CT)
2 500 : 2,16195 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
2 canaux N (double)
40 V
40 V
-
50 mA
1.5 V @ 0.1 µA
13pF à 5V
-
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
8-SOIC
8-WSON
DUAL, ULTRA-LOW NOISE, LOW-GATE-
Texas Instruments
3 618
En stock
1 : 5,10000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 1,98997 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
40 V
40 V
-
-
1.5 V @ 100 nA
17pF à 0V
-
-
-40°C ~ 125°C (TJ)
-
-
Montage en surface
8-WFDFN plot exposé
8-WSON (2x2)
UF3C120080B7S
JFET N-CH 1.7KV 6.8A D2PAK-7
onsemi
3 337
En stock
1 : 9,08000 €
Bande coupée (CT)
800 : 4,27326 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
1700 V
1700 V
2.2 µA @ 1700 V
6.8 A
-
225pF à 100V
500 mOhms
68 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-263-8, D2PAK (7 sorties + languette), TO-263CA
D2PAK-7
UJ3N065080K3S
JFET N-CH 650V 32A TO247-3
onsemi
1 855
En stock
7 800
Usine
1 : 9,54000 €
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
650 V
650 V
-
32 A
-
630pF à 100V
95 mOhms
190 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-3
TO-247-3
UJ3N120070K3S
JFET N-CH 1200V 33.5A TO247-3
onsemi
1 116
En stock
4 200
Usine
1 : 16,70000 €
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
1200 V
1200 V
-
33.5 A
-
985pF à 100V
90 mOhms
254 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-3
TO-247-3
UJ3N120035K3S
JFET N-CH 1200V 63A TO247-3
onsemi
3 775
En stock
1 800
Usine
1 : 28,92000 €
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
1200 V
1200 V
-
63 A
-
2145pF à 100V
45 mOhms
429 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-4L
JFET N-CH 1200V 120A TO247-4
onsemi
435
En stock
1 : 50,66000 €
Tube
-
Tube
Actif
Canal N
1200 V
1.2 kV
300 µA @ 1.2 kV
120 A
-
8110pF à 800V
11 mOhms
789 W
-55°C ~ 175°C (TJ)
Automobile
-
Trou traversant
TO-247-4
TO-247-4
SOT 23-3
JFET P-CH 30V SOT23-3
onsemi
4 706
En stock
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09819 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
30 V
-
1.5 mA @ 15 V
-
800 mV @ 10 nA
11pF à 10V (VGS)
300 Ohms
225 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
SOT 23-3
JFET P-CH 30V SOT23-3
onsemi
4 311
En stock
3 000
Usine
1 : 0,24000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,09819 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
30 V
-
7 mA @ 15 V
-
3 V @ 10 nA
11pF à 10V (VGS)
125 Ohms
225 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
SOT 23-3
JFET N-CH 30V SOT23-3
onsemi
29 869
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08164 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
30 V
30 V
5 mA @ 15 V
-
500 mV @ 10 nA
14pF à 15V
100 Ohms
225 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
SOT 23-3
JFET N-CH 30V SOT23-3
onsemi
17 234
En stock
1 : 0,37000 €
Bande coupée (CT)
10 000 : 0,06918 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
30 V
30 V
5 mA @ 15 V
-
500 mV @ 10 nA
14pF à 15V
100 Ohms
225 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3 (TO-236)
MMBD1401ALT1G
JFET N-CH 40V SOT23-3
onsemi
15 551
En stock
1 : 0,38000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,08241 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
40 V
40 V
900 µA @ 20 V
-
800 mV @ 10 nA
-
-
350 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
JFET N-CH 35V TO92-3
onsemi
45 333
En stock
1 : 0,39000 €
Bande coupée (CT)
2 000 : 0,09049 €
Bande et boîte
-
Bande coupée (CT)
Bande et boîte
Actif
Canal N
35 V
-
20 mA @ 15 V
-
3 V @ 1 µA
-
30 Ohms
625 mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Trou traversant
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) broches formées
TO-92-3
Affichage de
sur 1 101

JFET


Les transistors à effet de champ à jonction (JFET) sont des dispositifs utilisés en tant que commutateurs à commande électronique, amplificateurs ou résistances commandées en tension. La différence potentielle d'une polarité correcte appliquée entre les bornes de grille et de source augmente la résistance du flux de courant, ce qui signifie que le courant circulant dans le canal entre les bornes de source et de drain est réduit. Les transistors JFET n'ont pas besoin de courant de polarisation grâce à la charge circulant dans le canal semi-conducteur entre les bornes de source et de drain.