FET, MOSFET simples

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Référence fabricant
Quantité disponible
Prix
Série
Conditionnement
Statut du produit
Type de FET
Technologies
Tension drain-source (Vdss)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
Rds On (max.) à Id, Vgs
Vgs(th) (max.) à Id
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
Vgs (max.)
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
Fonction FET
Dissipation de puissance (max.)
Température de fonctionnement
Grade
Qualification
Type de montage
Boîtier fournisseur
Boîtier
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
75 805
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02166 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
190mA (Ta)
5V, 10V
4,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
5 186
En stock
1 : 0,11000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02166 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
125 537
En stock
1 : 0,12000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02203 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
200mA (Ta)
4,5V, 10V
3,9ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
155 319
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02369 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5ohms à 100mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
sot-23
MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
Diotec Semiconductor
16 300
En stock
1 : 0,13000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02526 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
280mA (Ta)
5V, 10V
5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
143 434
En stock
1 : 0,14000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02610 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
1,08W
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
167 425
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02987 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6ohms à 300mA, 10V
1,5V à 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TA)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
46 962
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02938 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
220mA (Tj)
4,5V, 10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
350mW
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
43 330
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02987 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
360mA (Ta)
2,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
1,5V à 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
236mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
18 406
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03067 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
2 721
En stock
1 : 0,15000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,02971 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,1V à 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montage en surface
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MMBT2222AWT1G
MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3
onsemi
100 279
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03210 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
310mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
280mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SC-70-3 (SOT323)
SC-70, SOT-323
SOT-323
MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Nexperia USA Inc.
16 668
En stock
1 : 0,16000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03130 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
180mA (Ta)
2,5V, 10V
4,5ohms à 100mA, 10V
1,5V à 250µA
0.44 nC @ 4.5 V
±20V
13 pF @ 10 V
-
260mW (Ta), 1,1W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-323
SC-70, SOT-323
DTC114YEBTL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1 071 266
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03414 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2ohms à 100mA, 2,5V
1V à 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
126 146
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03304 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6ohms à 500mA, 10V
2,3V à 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
68 434
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03351 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5ohms à 220mA, 10V
1,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
Diodes Incorporated
39 936
En stock
1 : 0,17000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03251 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
180mA (Ta)
5V, 10V
6ohms à 115mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
23 pF @ 25 V
-
370mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
348 595
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03522 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5ohms à 240mA, 10V
2,5V à 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
-
300mW (Tj)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
328 115
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03629 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
50 V
130mA (Ta)
5V
10ohms à 100mA, 5V
2V à 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
67 029
En stock
1 : 0,18000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03446 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8ohms à 250mA, 10V
1,5V à 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
350mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DTA023YMT2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
84 636
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,03184 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal P
MOSFET (oxyde métallique)
20 V
100mA (Ta)
1,2V, 4,5V
3,8ohms à 100mA, 4,5V
1V à 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VMT3
SOT-723
SOT 23-3
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
568 449
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03903 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5ohms à 500mA, 10V
2,5V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
225mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
262 836
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03756 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
100 V
170mA (Ta)
10V
6ohms à 170mA, 10V
2V à 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-523
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
Diodes Incorporated
205 072
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
3 000 : 0,03858 €
Bande et bobine
-
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5ohms à 50mA, 5V
2V à 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
150mW (Ta)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
SOT-523
SOT-523
133 223
En stock
1 : 0,19000 €
Bande coupée (CT)
8 000 : 0,03345 €
Bande et bobine
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Actif
Canal N
MOSFET (oxyde métallique)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6ohms à 10mA, 4V
1,5V à 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
-
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montage en surface
VESM
SOT-723
Affichage de
sur 46 046

FET simple, MOSFET


Les transistors à effet de champ (FET) simples et les transistors à effet de champ à oxyde métallique semi-conducteur (MOSFET) sont des types de transistors utilisés pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.

Un FET simple fonctionne en contrôlant le flux de courant électrique entre les bornes de source et de drain via un champ électrique généré par une tension appliquée à la borne de grille. Le principal avantage des FET est leur impédance d’entrée élevée, qui en fait un choix parfait pour une utilisation dans l’amplification de signaux et les circuits analogiques. Ils sont largement utilisés dans des applications telles que les amplificateurs, les oscillateurs et les étages tampons dans les circuits électroniques.

Les MOSFET, un sous-type de FET, ont une borne de grille isolée du canal par une fine couche d'oxyde, ce qui améliore leurs performances et les rend très efficaces. Les MOSFET peuvent être classés en deux types :

Les MOSFET sont préférés dans de nombreuses applications en raison de leur basse consommation, de leur commutation à haute vitesse et de leur capacité à gérer des tensions et des courants importants. Ils sont essentiels dans les circuits numériques et analogiques, notamment les alimentations, les variateurs moteurs et les applications radiofréquence.

Le fonctionnement des MOSFET peut être décomposé en deux modes :

  • Mode d'enrichissement : dans ce mode, le MOSFET est normalement désactivé lorsque la tension grille-source est nulle. Une tension grille-source positive (pour le canal N) ou une tension grille-source négative (pour le canal P) est nécessaire afin de l'allumer.
  • Mode de déplétion : dans ce mode, le MOSFET est normalement activé lorsque la tension grille-source est nulle. L'application d'une tension grille-source de polarité opposée peut la désactiver.

Les MOSFET offrent plusieurs avantages, tels que :

  1. Haut rendement : ils consomment très peu d'énergie et peuvent changer d'état rapidement, ce qui les rend très efficaces pour les applications de gestion de l'énergie.
  2. Faible résistance à l'état passant : ils ont une faible résistance lorsqu'ils sont allumés, ce qui minimise les pertes de puissance et la génération de chaleur.
  3. Impédance d'entrée élevée : la structure de grille isolée entraîne une impédance d'entrée extrêmement élevée, ce qui en fait un choix parfait pour l'amplification de signaux à haute impédance.

En résumé, les FET simples, en particulier les MOSFET, sont des composants fondamentaux de l'électronique moderne, connus pour leur rendement, leur vitesse et leur polyvalence dans une large gamme d'applications allant de l'amplification de signaux basse puissance au contrôle et à la commutation haute puissance.