Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
2N7002BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	42 555 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04830 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA (Ta)	1,6ohms à 500mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	50pF à 10V	295mW	150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	190 569 En stock	1 : 0,25000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04916 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002HSX MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	15 369 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05762 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	-	2 canaux N (double)	-	60V	320mA (Ta)	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,5nC à 4,5V	34pF à 10V	420mW	-55°C ~ 150°C (TA)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSS84AKS,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	2 211 En stock	1 : 0,28000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05897 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	50V	160mA	7,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,35nC à 5V	36pF à 25V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
SSM6L56FE,LM MOSFET N/P-CH 20V 0.8A ES6 Toshiba Semiconductor and Storage	40 668 En stock	1 : 0,30000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,05960 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 1,5V	20V	800mA (Ta)	235mohms à 800mA, 4,5V, 390mohms à 800mA, 4,5V	1V à 1mA	1nC à 10V	55pF à 10V, 100pF à 10V	150mW (Ta)	150°C	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	ES6
NX3008NBKS,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	513 194 En stock	1 : 0,31000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06698 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	350mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NX3008CBKS,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	63 232 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06766 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	350mA, 200mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	26 141 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06780 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,6nC à 10V	20pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
NTZD3152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 onsemi	13 894 En stock	1 : 0,32000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,06185 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	-	20V	430mA	900mohms à 430mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	175pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	0 En stock 456 000 Marketplace Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,06393 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	20V	540mA	550mohms à 540mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	150pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
BSS84AKV,115 MOSFET 2P-CH 50V 0.17A SOT666 Nexperia USA Inc.	2 410 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07088 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	50V	170mA	7,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,35nC à 5V	36pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	563 625 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07907 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,2V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	25pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMC2700UDM-7 MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Diodes Incorporated	916 829 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07508 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	1,34 A, 1,14 A	400mohms à 600mA, 4,5V	1V à 250µA	0,74nC à 4,5V	60,67pF à 16V	1,12W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-26
NX3020NAKV,115 MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 Nexperia USA Inc.	232 598 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,07823 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	200mA	4,5ohms à 100mA, 10V	1,5V à 250µA	0,44nC à 4,5V	13pF à 10V	375mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	133 462 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08047 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	77 653 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07626 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	8V	1,3A	175mohms à 1,2A, 4,5V	1V à 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	65 047 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07469 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	260mohms à 880mA, 4,5V	1,2V à 250µA	2,2nC à 4,5V	155pF à 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
EM6K34T2CR MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6 Rohm Semiconductor	49 967 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 8 000 : 0,07004 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	EMT6
NVJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	14 872 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07521 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
BSD223PH6327XTSA1 MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363 Infineon Technologies	91 277 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08326 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	20V	390mA	1,2ohms à 390mA, 4,5V	1,2V à 1,5µA	0,62nC à 4,5V	56pF à 15V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-6-1
NX3008CBKV,115 MOSFET N/P-CH 30V 0.4A SOT666 Nexperia USA Inc.	18 395 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,08078 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	400mA, 220mA	1,4ohms à 350m A, 4,5V	1,1V à 250µA	0,68nC à 4,5V	50pF à 15V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	3 319 En stock	1 : 0,39000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07885 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
PMDT290UNE,115 MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666 Nexperia USA Inc.	59 965 En stock	1 : 0,41000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,08583 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	800mA	380mohms à 500mA, 4,5V	950mV à 250µA	0,68nC à 4,5V	83pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-666
PMGD290UCEAX MOSFET N/P-CH 20V 0.725A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	15 755 En stock	1 : 0,41000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08837 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	725mA, 500mA	380mohms à 500mA, 4,5V	1,3V à 250µA	0,68nC à 4,5V	83pF à 10V	280mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q100	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	0 En stock 803 000 Marketplace Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 0,42000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08566 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	630mA	375mohms à 630mA, 4,5V	1,5V à 250µA	3nC à 4,5V	46pF à 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

Matrices de FET, MOSFET

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