Matrices de FET, MOSFET

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Référence fabricant	Quantité disponible	Prix	Série	Conditionnement	Statut du produit	Technologies	Configuration	Fonction FET	Tension drain-source (Vdss)	Courant - Drain continu (Id) à 25°C	Rds On (max.) à Id, Vgs	Vgs(th) (max.) à Id	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	Puissance - Max.	Température de fonctionnement	Grade	Qualification	Type de montage	Boîtier	Boîtier fournisseur
SSM6N7002KFU,LF MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6 Toshiba Semiconductor and Storage	137 475 En stock	1 : 0,18000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,03332 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	300mA	1,5ohms à 100mA, 10V	2,1V à 250µA	0,6nC à 4,5V	40pF à 10V	285mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	US6
NTJD5121NT1G MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 onsemi	69 892 En stock	1 : 0,24000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,04970 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	295mA	1,6ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,9nC à 4,5V	26pF à 20V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
2N7002DWH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363 Infineon Technologies	89 525 En stock	1 : 0,27000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05331 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	300mA	3ohms à 500mA, 10V	2,5V à 250µA	0,6nC à 10V	20pF à 25V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
2N7002DW-7-F MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363 Diodes Incorporated	34 180 En stock	1 : 0,27000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,05059 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	60V	230mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	310mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
2N7002DW MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88 onsemi	44 679 En stock	1 : 0,29000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07450 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	115mA	7,5ohms à 50mA, 5V	2V à 250µA	-	50pF à 25V	200mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88 (SC-70-6)
BSS138BKS,115 MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP Nexperia USA Inc.	322 928 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06067 € Bande et bobine	TrenchMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	60V	320mA	1,6ohms à 320m A, 10V	1,6V à 250µA	0,7nC à 4,5V	56pF à 10V	445mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	6-TSSOP
BSD840NH6327XTSA1 MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 Infineon Technologies	45 005 En stock	1 : 0,33000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06937 € Bande et bobine	OptiMOS™	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	400mohms à 880mA, 2,5V	750mV à 1,6µA	0,26nC à 2,5V	78pF à 10V	500mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-VSSOP, SC-88, SOT-363	PG-SOT363-PO
SIL2308-TP MOSFET N/P-CH 20V 5A/4A SOT23-6L MCC (Micro Commercial Components)	60 191 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07308 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	20V	5A, 4A	38mohms à 4,5A, 4,5V, 90mohms à 500mA, 4,5V	1V à 250µA	11nC à 4,5V, 12nC à 2,5V	800pF, 405pF à 8V, 10V	-	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6	SOT-23-6L
UM6K33NTN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	650 446 En stock	1 : 0,34000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06326 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 1,2V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	1V à 1mA	-	25pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
UM6K34NTCN MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6 Rohm Semiconductor	44 970 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07591 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique, attaque 0,9V	50V	200mA	2,2ohms à 200mA, 4,5V	800mV à 1mA	-	26pF à 10V	120mW	150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMT6
DMG6602SVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26 Diodes Incorporated	33 164 En stock	1 : 0,35000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06236 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Pas pour les nouvelles conceptions	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique, attaque 4,5V	30V	3,4 A, 2,8 A	60mohms à 3,1 A, 10V	2,3V à 250µA	13nC à 10V	400pF à 15V	840mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
NTJD1155LT1G MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SC88 onsemi	47 802 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07761 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	-	8V	1,3A	175mohms à 1,2A, 4,5V	1V à 250µA	-	-	400mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
DMG6601LVT-7 MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26 Diodes Incorporated	12 614 En stock	1 : 0,36000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06236 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	30V	3,8 A, 2,5 A	55mohms à 3,4A, 10V	1,5V à 250µA	12,3nC à 10V	422pF à 15V	850mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	TSOT-26
NVTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	121 314 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,06837 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1034CX-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89 Vishay Siliconix	13 230 En stock	1 : 0,37000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08239 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	610mA (Ta)	396mohms à 500mA, 4,5V	1V à 250µA	2nC à 8V	43pF à 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
NTJD4152PT1G MOSFET 2P-CH 20V 0.88A SC88 onsemi	66 804 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07501 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	20V	880mA	260mohms à 880mA, 4,5V	1,2V à 250µA	2,2nC à 4,5V	155pF à 20V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTJD4001NT1G MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88 onsemi	7 015 En stock	1 : 0,38000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08042 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	30V	250mA	1,5ohms à 10mA, 4V	1,5V à 100µA	1,3nC à 5V	33pF à 5V	272mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
NTZD3154NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	282 922 En stock	1 : 0,40000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,06482 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	-	20V	540mA	550mohms à 540mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	150pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
NTJD4401NT1G MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88 onsemi	12 656 En stock	1 : 0,40000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08660 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	630mA	375mohms à 630mA, 4,5V	1,5V à 250µA	3nC à 4,5V	46pF à 20V	270mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SC-88/SC70-6/SOT-363
SI1016CX-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V SC89 Vishay Siliconix	8 641 En stock	1 : 0,40000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08940 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	-	396mohms à 500mA, 4,5V	1V à 250µA	2nC à 4,5V	43pF à 10V	220mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SC-89 (SOT-563F)
DMN2400UV-7 MOSFET 2N-CH 20V 1.33A SOT563 Diodes Incorporated	19 482 En stock 15 780 000 Usine	1 : 0,41000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,07230 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	20V	1,33A	480mohms à 200mA, 5V	900mV à 250µA	0,5nC à 4,5V	36pF à 16V	530mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563
IRLHS6376TRPBF MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN Infineon Technologies	110 083 En stock	1 : 0,44000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,14374 € Bande et bobine	HEXFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	3,6A	63mohms à 3,4A, 4,5V	1,1V à 10µA	2,8nC à 4,5V	270pF à 25V	1,5W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-PowerVDFN	6-PQFN double (2x2)
BSS84DW-7-F MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT363 Diodes Incorporated	26 732 En stock 1 224 000 Usine	1 : 0,44000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,08493 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux P (double)	Porte de niveau logique	50V	130mA	10ohms à 100mA, 5V	2V à 1mA	-	45pF à 25V	300mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	SOT-363
SI3932DV-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 6TSOP Vishay Siliconix	29 326 En stock	1 : 0,45000 € Bande coupée (CT) 3 000 : 0,17530 € Bande et bobine	TrenchFET®	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	2 canaux N (double)	Porte de niveau logique	30V	3,7A	58mohms à 3,4A, 10V	2,2V à 250µA	6nC à 10V	235pF à 15V	1,4W	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-23-6 mince, TSOT-23-6	6-TSOP
NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563 onsemi	0 En stock Vérifier le délai d'approvisionnement	1 : 0,46000 € Bande coupée (CT) 4 000 : 0,09863 € Bande et bobine	-	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Actif	MOSFET (oxyde métallique)	Canaux N et P	Porte de niveau logique	20V	540mA, 430mA	550mohms à 540mA, 4,5V	1V à 250µA	2,5nC à 4,5V	150pF à 16V	250mW	-55°C ~ 150°C (TJ)	-	-	Montage en surface	SOT-563, SOT-666	SOT-563

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Les transistors à effet de champ (FET) sont des dispositifs électroniques utilisant un champ électrique pour contrôler le flux de courant. L'application d'une tension à la borne de grille modifie la conductivité entre les bornes de drain et de source. Les FET sont également appelés transistors unipolaires puisque leur fonctionnement inclut un seul type de porteur. Autrement dit, les FET utilisent des électrons ou des trous comme porteurs de charge dans leur fonctionnement, mais pas les deux. Les transistors à effet de champ affichent généralement une très haute impédance d'entrée à basses fréquences.

Matrices de FET, MOSFET

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