


IXFY8N65X2 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | IXFY8N65X2-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | IXFY8N65X2 |
Description | MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 11 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 790 pF @ 25 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 150W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 450mohms à 4A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 18 948 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | 0,99000 € | Similaire |
| IPD80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | 4 126 | IPD80R600P7ATMA1CT-ND | 1,95000 € | Similaire |
| SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 11 376 | SPD08N50C3ATMA1CT-ND | 2,27000 € | Similaire |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 4 106 | 497-13352-1-ND | 3,74000 € | Similaire |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | 504 | 497-10878-1-ND | 2,97000 € | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,65000 € | 3,65 € |
| 70 | 1,78057 € | 124,64 € |
| 140 | 1,62229 € | 227,12 € |
| 560 | 1,37718 € | 771,22 € |
| 1 050 | 1,29115 € | 1 355,71 € |
| 2 030 | 1,26539 € | 2 568,74 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 3,65000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 4,41650 € |

