MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 149 A (Tc) 353W (Tj) Montage sur châssis 34-PIM (56,7x42,5)
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NXH007F120M3F2PTHG

Numéro de produit DigiKey
5556-NXH007F120M3F2PTHG-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
NXH007F120M3F2PTHG
Description
MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
23 semaines
Référence client
Description détaillée
MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 149 A (Tc) 353W (Tj) Montage sur châssis 34-PIM (56,7x42,5)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4,4V à 60mA
Fabricant
onsemi
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
407nC à 18V
Conditionnement
Plateau
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
9090pF à 800V
Statut du composant
Actif
Puissance - Max.
353W (Tj)
Technologies
Carbure de silicium (SiC)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration
4 canaux N (pont complet)
Type de montage
Montage sur châssis
Tension drain-source (Vdss)
1200V (1,2kV)
Boîtier
Module
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
149 A (Tc)
Boîtier fournisseur
34-PIM (56,7x42,5)
Rds On (max.) à Id, Vgs
10mohms à 120A, 18V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 55
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Tous les prix sont en EUR
Plateau
Quantité Prix unitaire Prix total
1144,54000 €144,54 €
20124,38900 €2 487,78 €
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.
Prix unitaire sans TVA:144,54000 €
Prix unitaire avec TVA:174,89340 €