Paramètres
Livraison rapide
Livraison gratuite
Incoterms
Types de paiement
Produit marketplace
L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
NXH008T120M3F2PTHG | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 5556-NXH008T120M3F2PTHG-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | NXH008T120M3F2PTHG |
Description | MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 23 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 129 A (Tc) 371W (Tj) Montage sur châssis 29-PIM (56,7x42,5) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
Filtrer les produits similaires
Afficher les attributs vides
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4,4V à 60mA |
Fabricant onsemi | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 454nC à 20V |
Conditionnement Plateau | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9129pF à 800V |
Statut du composant Actif | Puissance - Max. 371W (Tj) |
Technologies Carbure de silicium (SiC) | Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ) |
Configuration 4 Canal N | Type de montage Montage sur châssis |
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV) | Boîtier Module |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 129 A (Tc) | Boîtier fournisseur 29-PIM (56,7x42,5) |
Rds On (max.) à Id, Vgs 11,5mohms à 100A, 18V | Numéro de produit de base |
Signaler une erreur dans les informations sur le produit
Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 1
Vérifier les stocks entrants supplémentaires
Quantité
Tous les prix sont en EUR
Plateau
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 131,03000 € | 131,03 € |
| 20 | 110,83400 € | 2 216,68 € |
| Prix unitaire sans TVA: | 131,03000 € |
|---|---|
| Prix unitaire avec TVA: | 158,54630 € |
Les composants suivants peuvent vous intéresserAfficher tout
3 Articles
