Name: GCMX010A120B3H1P
Brand: SemiQ
SKU: 1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Price: 141.9935 EUR
Availability: InStock

Nouveau produit

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GCMX010A120B3H1P
Numéro de produit DigiKey	1560-GCMX010A120B3H1P-ND
Fabricant	SemiQ
Numéro de produit du fabricant	GCMX010A120B3H1P
Description	1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	MOSFET - Matrices 1200V (1,2kV) 201A (Tc) 600W (Tc) Montage sur châssis
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET Matrices de FET, MOSFET
Fabricant	SemiQ
Série	QSiC™
Conditionnement	Boîte
Statut du composant	Actif
Technologies	Carbure de silicium (SiC)
Configuration	4 canaux N (pont complet)
Fonction FET	-
Tension drain-source (Vdss)	1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	201A (Tc)
Rds On (max.) à Id, Vgs	14mohms à 100A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 40mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	428nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	10900pF à 800V
Puissance - Max.	600W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage sur châssis
Boîtier	Module
Boîtier fournisseur	-