Name: IRLS4030TRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLS4030TRLPBFTR-ND
Price: 4.0777 EUR
Availability: InStock

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IRLS4030TRLPBF
Numéro de produit DigiKey	IRLS4030TRLPBFTR-ND - Bande et bobine IRLS4030TRLPBFCT-ND - Bande coupée (CT) IRLS4030TRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IRLS4030TRLPBF
Description	MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Montage en surface D2PAK
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IRLS4030TRLPBF Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 130 nC @ 4.5 V
Série HEXFET®	Vgs (max.) ±16V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11360 pF @ 50 V
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions	Dissipation de puissance (max.) 370W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur D2PAK
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Numéro de produit de base IRLS4030
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,3mohms à 110A, 10V

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (6)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
FDB035N10A	onsemi	2 849	FDB035N10ACT-ND	4,99000 €	Direct
BUK765R0-100E,118	Nexperia USA Inc.	1 607	1727-7135-1-ND	4,50000 €	Similaire
PSMN3R8-100BS,118	Nexperia USA Inc.	5 063	1727-7109-1-ND	4,29000 €	Similaire
PSMN5R6-100BS,118	Nexperia USA Inc.	1 031	1727-7125-1-ND	3,45000 €	Similaire
RSJ650N10TL	Rohm Semiconductor	265	RSJ650N10TLCT-ND	6,84000 €	Similaire

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