Name: RSJ650N10TL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RSJ650N10TLTR-ND
Price: 8.2764 EUR
Availability: InStock

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RSJ650N10TL
Numéro de produit DigiKey	RSJ650N10TLTR-ND - Bande et bobine RSJ650N10TLCT-ND - Bande coupée (CT) RSJ650N10TLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Rohm Semiconductor
Numéro de produit du fabricant	RSJ650N10TL
Description	MOSFET N-CH 100V 65A LPTS
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	16 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 65 A (Ta) 100W (Tc) Montage en surface LPTS
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	RSJ650N10TL Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 260 nC @ 10 V
Fabricant Rohm Semiconductor	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10780 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 100W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Grade Automobile
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Qualification AEC-Q101
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 65 A (Ta)	Type de montage Montage en surface
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4V, 10V	Boîtier fournisseur LPTS
Rds On (max.) à Id, Vgs 9,1mohms à 32,5A, 10V	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 1mA	Numéro de produit de base RSJ650

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

Substituts (4)

Numéro de référence	Fabricant	Quantité disponible	Numéro de produit DigiKey	Prix unitaire	Type de substitution
IXFA130N10T2	IXYS	983	238-IXFA130N10T2-ND	5,76000 €	Similaire
IXTA130N10T	IXYS	353	238-IXTA130N10T-ND	5,11000 €	Similaire
SUM70090E-GE3	Vishay Siliconix	4 533	SUM70090E-GE3CT-ND	2,17000 €	Similaire
IRLS4030TRLPBF	Infineon Technologies	606	IRLS4030TRLPBFCT-ND	3,37000 €	Similaire