Name: FDB035N10A
Brand: onsemi
SKU: FDB035N10ATR-ND
Price: 6.0379 EUR
Availability: InStock

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FDB035N10A
Numéro de produit DigiKey	FDB035N10ATR-ND - Bande et bobine FDB035N10ACT-ND - Bande coupée (CT) FDB035N10ADKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	onsemi
Numéro de produit du fabricant	FDB035N10A
Description	MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 120 A (Tc) 333W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	FDB035N10A Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant onsemi	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 116 nC @ 10 V
Série PowerTrench®	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7295 pF @ 25 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 333W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)	Boîtier TO-263-3, D2PAK (2 sorties + languette), TO-263AB
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Numéro de produit de base FDB035
Rds On (max.) à Id, Vgs 3,5mohms à 75A, 10V