Name: IPT017N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.5617 EUR
Availability: InStock

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IPT017N10NF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT017N10NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT017N10NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT017N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT017N10NF2SATMA1
Description	MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	17 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 33A (Ta), 294A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-10
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT017N10NF2SATMA1 Modèles

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 216µA
Fabricant Infineon Technologies	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 195 nC @ 10 V
Série StrongIRFET™ 2	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9300 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,8W (Ta), 300W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-10
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33A (Ta), 294A (Tc)	Boîtier 8-PowerSFN
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base IPT017
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,75mohms à 150A, 10V