Name: IAUT260N10S5N019ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUT260N10S5N019ATMA1TR-ND
Price: 5.5902 EUR
Availability: InStock

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IAUT260N10S5N019ATMA1
Numéro de produit DigiKey	IAUT260N10S5N019ATMA1TR-ND - Bande et bobine IAUT260N10S5N019ATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) IAUT260N10S5N019ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IAUT260N10S5N019ATMA1
Description	MOSFET N-CH 100V 260A 8HSOF
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	27 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 260 A (Tc) 300W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-1
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IAUT260N10S5N019ATMA1 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 166 nC @ 10 V
Fabricant Infineon Technologies	Vgs (max.) ±20V
Série OptiMOS™ 5	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 11830 pF @ 50 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Dissipation de puissance (max.) 300W (Tc)
Statut du composant Actif	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de FET Canal N	Grade Automobile
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Qualification AEC-Q101
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 260 A (Tc)	Boîtier fournisseur PG-HSOF-8-1
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Boîtier 8-PowerSFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,9mohms à 100A, 10V	Numéro de produit de base IAUT260
Vgs(th) (max.) à Id 3,8V à 210µA