Name: IPT015N10NF2SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND
Price: 4.719 EUR
Availability: InStock

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IPT015N10NF2SATMA1
Numéro de produit DigiKey	448-IPT015N10NF2SATMA1TR-ND - Bande et bobine 448-IPT015N10NF2SATMA1CT-ND - Bande coupée (CT) 448-IPT015N10NF2SATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Infineon Technologies
Numéro de produit du fabricant	IPT015N10NF2SATMA1
Description	MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	18 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 35A (Ta), 315A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montage en surface PG-HSOF-8-10
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	IPT015N10NF2SATMA1 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Infineon Technologies
Série	StrongIRFET™ 2
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	100 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35A (Ta), 315A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	6V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	1,5mohms à 150A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	3,8V à 267µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	242 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	11000 pF @ 50 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PG-HSOF-8-10
Boîtier	8-PowerSFN