VideoLibrary

Midnite Solar's Inverters and Charger Systems

ROHM SiC MOSFETs have been adopted in Midnite Solar’s high power charge controllers, inverters, and state-of-the-art inverter/charger systems utilize that demand higher efficiency operation, a robust design, and long operational life.

2/6/2023 4:57:29 PM

Part List

AbbildungHersteller-TeilenummerBeschreibungDiodenkonfigurationTechnologieSpannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)Verfügbare MengePreisDetails anzeigen
DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-247SCS230KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 15A TO-2471 Paar gemeinsame KathodenSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V2 - Sofort$15.11Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULEBSM080D12P2C008MOSFET 2N-CH 1200V 80A MODULESiliziumkarbid (SiC)2 N-Kanal (zweifach)-61 - Sofort$272.94Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULEBSM180D12P3C007MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULESiliziumkarbid (SiC)2 N-Kanal (zweifach)-13 - Sofort$482.32Details anzeigen
DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSCS212AGC17DIODE SIC 650V 12A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V12A930 - Sofort$5.73Details anzeigen
DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSCS205KGC17DIODE SIC 1.2KV 5A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V5A998 - Sofort$5.62Details anzeigen
DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSCS302AHGC9DIODE SIC 650V 2.15A TO220ACPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V2,15A1234 - Sofort$2.54Details anzeigen
DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSCS210KGC17DIODE SIC 1.2KV 10A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V10A264 - Sofort$8.05Details anzeigen
DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSCS220KGC17DIODE SIC 1.2KV 20A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V20A390 - Sofort$12.53Details anzeigen
DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247NSCS220KE2HRC11DIODE ARR SIC 1200V 10A TO-247N1 Paar gemeinsame KathodenSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V0 - Sofort$7.24Details anzeigen
DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247NSCS230AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 15A TO-247N1 Paar gemeinsame KathodenSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V545 - Sofort$12.06Details anzeigen
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247SCS210KE2HRC11DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-2471 Paar gemeinsame KathodenSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V450 - Sofort$9.48Details anzeigen
DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247NSCS240AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-247N1 Paar gemeinsame KathodenSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V0 - Sofort$12.90Details anzeigen
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2GC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N1 Paar gemeinsame KathodenSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V79 - Sofort$8.70Details anzeigen
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247NSCS220AE2HRC11DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N1 Paar gemeinsame KathodenSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V199 - Sofort$8.91Details anzeigen
DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247NSCS240KE2GC11DIODE ARR SIC 1200V 20A TO-247N1 Paar gemeinsame KathodenSiC (Silicon Carbide) Schottky1200 V150 - Sofort$21.02Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P2E001MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULESiliziumkarbid (SiC)2 N-Kanal (Halbbrücke)-16 - Sofort$671.51Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSCS208AGC17DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACFPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V8A786 - Sofort$3.38Details anzeigen
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSCS310AHGC9DIODE SIL CARB 650V 10A TO220ACPSiC (Silicon Carbide) Schottky650 V10A0 - SofortSee Page for PricingDetails anzeigen
MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEBSM120C12P2C201MOSFET IPM 1.2KV 134A MODULEMOSFET-134 A7 - Sofort$255.65Details anzeigen
MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULEBSM300D12P3E005MOSFET 2N-CH 1200V 300A MODULESiliziumkarbid (SiC)2 N-Kanal (Halbbrücke)-6 - Sofort$1,174.36Details anzeigen

Related Videos

ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look
ROHM'S 4th Generation of Silicon Carbide MOSFETs | First Look

Datum der Veröffentlichung: 2023-09-20

High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability
High accuracy current monitoring contributes to improved application reliability

Datum der Veröffentlichung: 2023-06-22

ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions
ROHM's SiC Power and Gate Driver Solutions

Datum der Veröffentlichung: 2023-02-06

Related Product Highlight

SiC-MOSFETs SCT der 4. Generation Die Siliziumkarbid-MOSFETs der 4. Generation von ROHM wurden entwickelt, um in anspruchsvollen Anwendungen eine überlegene Effizienz und Performance zu erzielen.
SiC-MOSFETs der 4. Generation Die SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM zeichnen sich durch geringe Schaltverluste und die Unterstützung einer Gate-Source-Spannung von 15 V aus, was zur Energieeinsparung der Komponenten beiträgt.
DAW-Chip BD3430 - MUS-ICT™-Serie Die MUS-ICT-Serie von ROHM enthält mit dem DAW-Chip BD3430 ein hochwertiges Audio-IC.

Related Articles and Blogs

Verringerung von Verlusten, Verbesserung des Wirkungsgrads und Erweiterung des Temperaturbereichs bei Anwendungen mit hoher Leistung SiC-MOSFETs der 4. Generation können eingesetzt werden, um den Wirkungsgrad erheblich zu verbessern, die Kosten zu senken und die Größe von Hochspannungs- und Hochleistungs-Steuerschaltungen zu reduzieren.
Halbleiter mit großer Bandlücke gestalten das Transportwesen neu Der gesamte Verkehrssektor befindet sich in einem radikalen Umbruch mit Lösungen für Elektro- und Hybridautos und einen saubereren Massentransport.
Halbleiter mit großer Bandlücke in Luft- und Raumfahrt- sowie Satellitenanwendungen Halbleiter mit großer Bandlücke bieten mehrere Vorteile bei der Leistungswandlung, z. B. eine höhere Leistungsdichte und einen höheren Wirkungsgrad sowie eine Verringerung der Systemgröße und des Gewichts.

Related Product Training Modules

High-Power Devices for EV DC Fast-Charging Stations ROHM's power device offerings for DC fast-charging stations include silicon carbide (SiC), insulated gate bipolar transistor (IGBT), and super junction MOSFETs.
Industrial Motor Products: Part 1 - Power Devices/Gate Drivers ROHM’s power devices and gate drivers are optimized for industrial motor end applications.
4th Generation SiC MOSFETs This presentation will provide a brief overview of ROHM’s latest SiC trench MOSFETs and their advantages for power electronics applications.