SCT2450KEGC11
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
SCT2450KEGC11
4th Gen SiC MOSFETs

SCS220AE2GC11

DigiKey-Teilenr.
846-SCS220AE2GC11-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCS220AE2GC11
Beschreibung
DIODE ARRAY SIC 650V 10A TO-247N
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathoden 650 V 10A (DC) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Diodenkonfiguration
1 Paar gemeinsame Kathoden
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
650 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
10A (DC)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.55 V @ 10 A
Geschwindigkeit
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
200 µA @ 600 V
Betriebstemperatur - Übergang
175°C
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247N
Basis-Produktnummer
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