R6020ENZ4C13
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
R6020ENZ4C13
4th Gen SiC MOSFETs

SCS210KE2HRC11

DigiKey-Teilenr.
846-SCS210KE2HRC11-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SCS210KE2HRC11
Beschreibung
DIODE ARRAY SIC 1200V 5A TO-247
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
Diodenarray 1 Paar gemeinsame Kathoden 1200 V 5A (DC) Durchkontaktierung TO-247-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Hersteller
Rohm Semiconductor
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
Diodenkonfiguration
1 Paar gemeinsame Kathoden
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Spannung - DC-Rückwärtssp. (Vr) (Max.)
1200 V
Strom - Mittelwert gleichgerichtet (Io) (pro Diode)
5A (DC)
Spannung - Durchlass (Vf) (max.) bei If
1.6 V @ 5 A
Geschwindigkeit
Keine Erholzeit > 500mA (Io)
Umkehrerholungszeit (trr)
0 ns
Strom - Sperrleckstrom bei Vr
100 µA @ 1200 V
Betriebstemperatur - Übergang
175°C
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Basis-Produktnummer
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Stange
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305,55367 €166,61 €
1204,85917 €583,10 €
5104,53982 €2.315,31 €
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