Enkel FET's, MOSFET's

Resultaten : 2
Bevoorradingsopties
Milieu-opties
Media
Uitsluiten
2Resultaten
Zoekterm

Weergegeven:
van 2
Onderdeelnr. fabr.
Beschikbare hoeveelheid
Prijs
Serie
Verpakking
Productstatus
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
Vgs(th) (max.) bij Id
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
Vgs (max.)
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
FET-kenmerk
Vermogensdissipatie (max.)
Bedrijfstemperatuur
Soort
Kwalificatie
Type montage
Apparaatpakket leverancier
Verpakking / doos
PG-TO263-3-2
MOSFET N-CH 150V 120A TO263-3
Infineon Technologies
2.503
Op voorraad
1 : 4,67000 €
Cut Tape (CT)
1.000 : 1,75612 €
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Actief
N-kanaal
MOSFET (metaaloxide)
150 V
120 A (Tc)
8V, 10V
4,8mOhm @ 60A, 10V
4,6V @ 264µA
100 nC @ 10 V
±20V
7800 pF @ 75 V
-
300W (Tc)
-55°C ~ 175°C (TJ)
-
-
Opbouwmontage
PG-TO263-3-2
TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
PG-TO263-3
MOSFET N-CH 150V 120A D2PAK
Infineon Technologies
990
Op voorraad
1 : 5,97000 €
Cut Tape (CT)
1.000 : 2,43726 €
Tape & Reel (TR)
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Actief
N-kanaal
MOSFET (metaaloxide)
150 V
120 A (Tc)
10V
4,8mOhm @ 100A, 10V
4,9V @ 255µA
84 nC @ 10 V
±20V
380 pF @ 75 V
-
313W (Tc)
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
-
Opbouwmontage
PG-TO263-3
TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
Weergegeven:
van 2

Enkele FET, MOSFET's


Enkele Field Effect Transistors (FET's) en Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors (MOSFET's) zijn soorten transistors die worden gebruikt om elektronische signalen te versterken of te schakelen.

Een enkele FET werkt door de stroom tussen de source- en drainterminals te regelen via een elektrisch veld dat wordt opgewekt door een spanning op de gate-terminal. Het belangrijkste voordeel van FET's is hun hoge ingangsimpedantie, waardoor ze ideaal zijn voor gebruik in signaalversterking en analoge schakelingen. Ze worden veel gebruikt in toepassingen zoals versterkers, oscillators en buffertrappen in elektronische schakelingen.

MOSFET's, een subtype van FET's, hebben een gate-terminal die van het kanaal is geïsoleerd door een dunne oxidelaag, waardoor ze beter presteren en zeer efficiënt zijn. MOSFET's kunnen verder worden onderverdeeld in twee typen:

MOSFET's genieten in veel toepassingen de voorkeur vanwege hun lage energieverbruik, hoge schakelsnelheid en vermogen om grote stromen en spanningen te verwerken. Ze zijn cruciaal in digitale en analoge schakelingen, waaronder voedingen, motorstuurprogramma's en radiofrequentietoepassingen.

De werking van MOSFET's kan worden onderverdeeld in twee modi:

  • Verbeteringsmodus: In deze modus is de MOSFET normaal uitgeschakeld wanneer de gate-bronspanning nul is. Hij heeft een positieve gate-sourcespanning (voor n-kanaal) of een negatieve gate-sourcespanning (voor p-kanaal) nodig om aan te gaan.
  • Depletiemodus: In deze modus is de MOSFET normaal ingeschakeld wanneer de gate-sourcespanning nul is. Door een sourcespanning met tegengestelde polariteit toe te passen, kan deze worden uitgeschakeld.

MOSFET's bieden verschillende voordelen, zoals:

  1. Hoge efficiëntie: Ze verbruiken zeer weinig stroom en kunnen snel van status veranderen, waardoor ze zeer efficiënt zijn voor energiebeheertoepassingen.
  2. Lage aan/uit-weerstand: Ze hebben een lage weerstand wanneer ze ingeschakeld worden, wat energieverlies en warmteontwikkeling minimaliseert.
  3. Hoge ingangsimpedantie: De geïsoleerde poortstructuur resulteert in een extreem hoge ingangsimpedantie, waardoor ze ideaal zijn voor signaalversterking met hoge impedantie.

Samengevat zijn enkelvoudige FET's, vooral MOSFET's, fundamentele componenten in de moderne elektronica, bekend om hun efficiëntie, snelheid en veelzijdigheid in een groot aantal toepassingen, van signaalversterking met laag vermogen tot schakelen en besturen met hoog vermogen.