VideoLibrary

Paralleling GaN FETs

Paralleling GaN FETs from Nexperia.

4/14/2025 7:28:33 PM

Part List

AfbeeldingOnderdeelnr. fabrikantBeschrijvingAvailable QuantityPrijsDetails weergeven
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3GAN063-650WSAQGANFET N-CH 650V 34.5A TO247-30 - Immediate$11.87Details weergeven
GAN041-650WSB/SOT429/TO-247GAN041-650WSBQGAN041-650WSB/SOT429/TO-247282 - Immediate$15.02Details weergeven
GAN111-650WSB/SOT429/TO-247GAN111-650WSBQGAN111-650WSB/SOT429/TO-24777 - Immediate$11.97Details weergeven
GAN CASCODE FETSGAN039-650NTBJGAN CASCODE FETS713 - Immediate$15.25Details weergeven
650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (GAN039-650NBBHP650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (847 - Immediate$15.25Details weergeven

Related Videos

Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers
Driving Nexperia cascode GaN FETs with Broadcom Optocouplers

Publicatiedatum: 2025-04-15

Switching evaluation of fast GaN devices
Switching evaluation of fast GaN devices

Publicatiedatum: 2025-04-14

Nexperia cascode GaN FETs
Nexperia cascode GaN FETs

Publicatiedatum: 2025-04-07

Related Product Highlight

Cascode GaN FETs Nexperia cascode GaN FETs have high power density, performance, and switching frequency for power system applications such as Industry 4.0 and renewable energy.
GaN FETs Nexperia's GaN FETs enable smaller, faster, cooler, lighter systems, with lower overall system cost.

Related Articles and Blogs

Wide bandgap-halfgeleiders zorgen voor meer efficiëntie in datacenters Aangezien datacenters enorme energiebehoeften hebben, zijn stroomoplossingen nodig die stroomverliezen kunnen beperken, de efficiëntie kunnen verhogen en de thermische controle kunnen verbeteren.
Wide bandgap-halfgeleiders hervormen de transportwereld De hele transportsector ondergaat een radicale transformatie met oplossingen voor elektrische en hybride auto's en schoner massavervoer.
Waarom en hoe GaN-veldeffecttransistors toe te passen voor efficiënte, hogere spanning, schakelende vermogenstoepassingen Verbetering van de energie-efficiëntie en vermogensdichtheid in geschakelde energiesystemen met hogere spanning door inzicht in de principes en de juiste toepassing van GaN FET's.