XP3R303GMT-L YAGEO XSEMI | Producten voor discrete halfgeleiders

XP3R303GMT-L is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.

Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended

YAGEO XSEMI

Op voorraad: 0

Eenheidsprijs : 0,00000 €

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

XP3R303GMT-L
Productnummer DigiKey	5048-XP3R303GMT-LTR-ND - Tape & Reel (TR) 5048-XP3R303GMT-LCT-ND - Cut Tape (CT) 5048-XP3R303GMT-LDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	YAGEO XSEMI
Productnummer fabrikant	XP3R303GMT-L
Beschrijving	MOSFET N-CH 30V 31A 105A PMPAK
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 30 V 31A (Ta), 105A (Tc) 5W (Ta), 56,8W (Tc) Opbouwmontage PMPAK® 5 x 6
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	YAGEO XSEMI
Serie	XP3R303
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	31A (Ta), 105A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	3,3mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	21 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2240 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	5W (Ta), 56,8W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PMPAK® 5 x 6
Verpakking / doos	8-PowerLDFN