Name: SQS414CENW-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SQS414CENW-T1_GE3TR-ND
Price: 1.1132 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SQS414CENW-T1_GE3
Productnummer DigiKey	742-SQS414CENW-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SQS414CENW-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SQS414CENW-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SQS414CENW-T1_GE3
Beschrijving	AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
Standaard levertijd fabrikant	32 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 60 V 18 A (Tc) 33W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8 W
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	18 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	23mOhm @ 2,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	14 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	870 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	33W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® 1212-8 W
Verpakking / doos	PowerPAK® 1212-8 W