Name: SQJ431EP-T1_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQJ431EP-T1_GE3TR-ND
Price: 2.8314 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SQJ431EP-T1_GE3
Productnummer DigiKey	SQJ431EP-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQJ431EP-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SQJ431EP-T1_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SQJ431EP-T1_GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Standaard levertijd fabrikant	27 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 200 V 12 A (Tc) 83W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SQJ431EP-T1_GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	12 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	213mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4355 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	83W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SO-8
Verpakking / doos	PowerPAK® SO-8
Basisproductnummer	SQJ431