SQ2309ES-T1_GE3 Vishay Siliconix | Producten voor discrete halfgeleiders

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SQ2309ES-T1_GE3
Productnummer DigiKey	SQ2309ES-T1_GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SQ2309ES-T1_GE3CT-ND - Cut Tape (CT)
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SQ2309ES-T1_GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 60 V 1,7 A (Tc) 2W (Tc) Opbouwmontage SOT-23-3 (TO-236)
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	1,7 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	336mOhm @ 3,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	8.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	265 pF @ 25 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	Automotive
Kwalificatie	AEC-Q101
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	SOT-23-3 (TO-236)
Verpakking / doos	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproductnummer	SQ2309