SIZ300DT-T1-GE3 Vishay Siliconix | Producten voor discrete halfgeleiders

SIZ300DT-T1-GE3 is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.

Beschikbare alternatieven:

MFR Recommended

Vishay Siliconix

Op voorraad: 0

Eenheidsprijs : 2,60474 €

Similar

onsemi

Op voorraad: 3.000

Eenheidsprijs : 10,11000 €

Similar

onsemi

Op voorraad: 3.367

Eenheidsprijs : 12,76000 €

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIZ300DT-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIZ300DT-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIZ300DT-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIZ300DT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIZ300DT-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET 2N-CH 30V 11A 8POWERPAIR
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	MOSFET's - Arrays 30V 11A, 28A 16,7W, 31W Opbouwmontage 8-PowerPair®
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIZ300DT-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's FET, MOSFET-arrays
Fabrikant	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Verouderd
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Configuratie	2 N-kanaal (halve brug)
FET-kenmerk	Logic level-poort
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	11A, 28A
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	24mOhm @ 9,8A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	12nC @ 10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	400pF @ 15V
Vermogen - max.	16,7W, 31W
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage	Opbouwmontage
Verpakking / doos	8-PowerWDFN
Apparaatpakket leverancier	8-PowerPair®
Basisproductnummer	SIZ300