Name: SISS5623DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.5894 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SISS5623DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SISS5623DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISS5623DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SISS5623DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SISS5623DN-T1-GE3
Beschrijving	P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Standaard levertijd fabrikant	33 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 60 V 10,5A (Ta), 36,3A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8S
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SISS5623DN-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	10,5A (Ta), 36,3A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	24mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,6V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1575 pF @ 30 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® 1212-8S
Verpakking / doos	PowerPAK® 1212-8S
Basisproductnummer	SISS5623