Name: SISH625DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISH625DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.0406 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SISH625DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SISH625DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SISH625DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SISH625DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SISH625DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 30V 17.3A/35A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 30 V 17,3A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8SH
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	17,3A (Ta), 35A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	7mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	126 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4427 pF @ 15 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3,7W (Ta), 52W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® 1212-8SH
Verpakking / doos	PowerPAK® 1212-8SH
Basisproductnummer	SISH625