Name: SISA35DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SISA35DN-T1-GE3TR-ND
Price: 0.6655 EUR
Availability: OutOfStock

Hulp nodig?

Feedback sturen

Over DigiKey Marketplace Verkopen op DigiKey.com Carrière Sitemap Digitale oplossingen Newsroom

Hulp en Assistentie Bestelstatus Verzendkosten/-opties Retourzendingen en problemen met bestellingen

(+32) 53 33 80 45 eu.support@digikey.com

SISA35DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SISA35DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SISA35DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SISA35DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SISA35DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 30V 10A/16A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 30 V 10 A (Ta), 16 A (Tc) 3,2W (T+), 24 (T+) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SISA35DN-T1-GE3 Modellen

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen III
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	30 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	10 A (Ta), 16 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	19mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,2V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1500 pF @ 15 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3,2W (T+), 24 (T+)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® 1212-8
Verpakking / doos	PowerPAK® 1212-8
Basisproductnummer	SISA35

Eenheidsprijs zonder BTW:	0,55000 €
Eenheidsprijs met BTW:	0,66550 €

SISA35DN-T1-GE3