Name: SIS890ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.5851 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIS890ADN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIS890ADN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIS890ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIS890ADN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	55 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 7,6A (Ta), 24,7A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 29 nC @ 10 V
Fabr. Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 1330 pF @ 50 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 3,6W (Ta), 39W (Tc)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 1212-8
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 7,6A (Ta), 24,7A (Tc)	Verpakking / doos PowerPAK® 1212-8
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 25,5mOhm @ 10A, 10V	Basisproductnummer SIS890
Vgs(th) (max.) bij Id 2,5V @ 250µA