Name: SIS110DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS110DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2826 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIS110DN-T1-GE3
Productnummer DigiKey	SIS110DN-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) SIS110DN-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) SIS110DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIS110DN-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 5.2A/14.2A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	17 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 5,2 A (Ta), 14,2 A (Tc) 3,2W (T+), 24 (T+) Opbouwmontage PowerPAK® 1212-8
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Filter vergelijkbare producten

Toon lege attributen

Categorie Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's	Vgs(th) (max.) bij Id 4V @ 250µA
Fabr. Vishay Siliconix	Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs 13 nC @ 10 V
Serie TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) ±20V
Verpakking Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®	Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds 550 pF @ 50 V
Status onderdeel Actief	Vermogensdissipatie (max.) 3,2W (T+), 24 (T+)
FET-type N-kanaal	Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (metaaloxide)	Type montage Opbouwmontage
Spanning ontlading-bron (Vdss) 100 V	Apparaatpakket leverancier PowerPAK® 1212-8
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C 5,2 A (Ta), 14,2 A (Tc)	Verpakking / doos PowerPAK® 1212-8
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V	Basisproductnummer SIS110
Rds aan (max.) bij Id, Vgs 54mOhm @ 4A, 10V

Fout in productinformatie melden

Documenten en media

Milieu- en exportclassificaties

Meer resources

Op voorraad: 13.471

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Voor alle Digi-Reel-bestellingen wordt een oprolkosten van 5,50 € in rekening gebracht.

Tape & Reel (TR)