Name: SIR681DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.4364 EUR
Availability: OutOfStock

SIR681DP-T1-RE3 is niet op voorraad en kan nabesteld worden.

Beschikbare alternatieven:

Similar

Rohm Semiconductor

Op voorraad: 3.659

Eenheidsprijs : 1,38000 €

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIR681DP-T1-RE3
Productnummer DigiKey	742-SIR681DP-T1-RE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIR681DP-T1-RE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIR681DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIR681DP-T1-RE3
Beschrijving	MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Standaard levertijd fabrikant	33 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	P-kanaal 80 V 17,6A (Ta), 71,9A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SO-8
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIR681DP-T1-RE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET® Gen IV
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	P-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	80 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	17,6A (Ta), 71,9A (Tc)
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	11,2mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,6V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	105 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4850 pF @ 40 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	6,25W (Ta), 104W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SO-8
Verpakking / doos	PowerPAK® SO-8
Basisproductnummer	SIR681