Name: SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND
Price: 6.4614 EUR
Availability: InStock

Nieuw product

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIEH4800EW-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIEH4800EW-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIEH4800EW-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIEH4800EW-T1-GE3
Beschrijving	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Standaard levertijd fabrikant	12 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® 8 x 8 BWL
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	80 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	34A (Ta), 381A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	7,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	1,15mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	278 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	29000 pF @ 40 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	3,4W (Ta), 417W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® 8 x 8 BWL
Verpakking / doos	8-PowerDFN