Name: SIA430DJT-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIA430DJT-T1-GE3TR-ND
Price: 0.847 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SIA430DJT-T1-GE3
Productnummer DigiKey	742-SIA430DJT-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 742-SIA430DJT-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 742-SIA430DJT-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SIA430DJT-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Standaard levertijd fabrikant	24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 20 V 12 A (Tc) 19,2W (Tc) Opbouwmontage PowerPAK® SC-70-6 enkel
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SIA430DJT-T1-GE3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	20 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	12 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	13,5mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	800 pF @ 10 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	19,2W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	PowerPAK® SC-70-6 enkel
Verpakking / doos	PowerPAK® SC-70-6
Basisproductnummer	SIA430

Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 5.481

Controleer op extra binnenkomende voorraad

Aantal

Alle prijzen zijn in EUR

Cut Tape (CT) & Digi-Reel®

* Voor alle Digi-Reel-bestellingen wordt een oprolkosten van 5,50 € in rekening gebracht.

Tape & Reel (TR)