Name: SI4840BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4840BDY-T1-E3TR-ND
Price: 2.299 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

SI4840BDY-T1-E3
Productnummer DigiKey	SI4840BDY-T1-E3TR-ND - Tape & Reel (TR) SI4840BDY-T1-E3CT-ND - Cut Tape (CT) SI4840BDY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	SI4840BDY-T1-E3
Beschrijving	MOSFET N-CH 40V 19A 8SO
Standaard levertijd fabrikant	24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 40 V 19 A (Tc) 2,5W (Ta), 6W (Tc) Opbouwmontage 8-SOIC
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	SI4840BDY-T1-E3 Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	TrenchFET®
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	40 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	19 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	9mOhm @ 12,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	50 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2000 pF @ 20 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,5W (Ta), 6W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-SOIC
Verpakking / doos	8-SOIC (0,154", 3,90mm breedte)
Basisproductnummer	SI4840