2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | Producten voor discrete halfgeleiders

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

2N7002E-T1-GE3
Productnummer DigiKey	2N7002E-T1-GE3TR-ND - Tape & Reel (TR) 2N7002E-T1-GE3CT-ND - Cut Tape (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Vishay Siliconix
Productnummer fabrikant	2N7002E-T1-GE3
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Opbouwmontage TO-236
Gegevensblad	Gegevensblad

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Vishay Siliconix
Serie	-
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	240mA (Ta)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	3Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 250µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	21 pF @ 5 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	350mW (Ta)
Bedrijfstemperatuur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	TO-236
Verpakking / doos	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproductnummer	2N7002