TK125N60Z1,S1F
De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.
TK125N60Z1,S1F
Toshiba 650 V and 1,200 V 3rd Generation Silicon Carbide MOSFETs | Datasheet Preview

TW060N120C,S1F

Productnummer DigiKey
264-TW060N120CS1F-ND
Fabrikant
Productnummer fabrikant
TW060N120C,S1F
Beschrijving
G3 1200V SIC-MOSFET TO-247 60MO
Standaard levertijd fabrikant
24 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving
N-kanaal 1200 V 36 A (Tc) 170W (Tc) Through-hole TO-247
Gegevensblad
 Gegevensblad
Productkenmerken
Type
Beschrijving
Alles selecteren
Categorie
Fabr.
Serie
-
Verpakking
Buis
Status onderdeel
Actief
FET-type
Technologie
Spanning ontlading-bron (Vdss)
1200 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)
18V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs
78mOhm vid 18A, 18V
Vgs(th) (max.) bij Id
5V @ 4,2mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs
46 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds
1530 pF @ 800 V
FET-kenmerk
-
Vermogensdissipatie (max.)
170W (Tc)
Bedrijfstemperatuur
175°C
Soort
-
Kwalificatie
-
Type montage
Through-hole
Apparaatpakket leverancier
TO-247
Verpakking / doos
Vragen en antwoorden over producten

Bekijk wat technici vragen, stel uw eigen vragen of help een lid van de DigiKey-engineeringcommunity

Op voorraad: 39
Controleer op extra binnenkomende voorraad
Alle prijzen zijn in EUR
Buis
Aantal Eenheidsprijs Ext Prijs
119,83000 €19,83 €
3012,64667 €379,40 €
12012,09400 €1.451,28 €
Standaardpakket van de fabrikant
Opmerking: Vanwege de waardetoevoegende diensten van DigiKey kan het verpakkingstype veranderen als het product in hoeveelheden onder de standaardverpakking wordt gekocht.
Eenheidsprijs zonder BTW:19,83000 €
Eenheidsprijs met BTW:23,99430 €