Name: TPN4R806PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN4R806PLL1QTR-ND
Price: 1.4762 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TPN4R806PL,L1Q
Productnummer DigiKey	264-TPN4R806PLL1QTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPN4R806PLL1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPN4R806PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TPN4R806PL,L1Q
Beschrijving	MOSFET N-CH 60V 72A 8TSON
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 60 V 72 A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Opbouwmontage 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TPN4R806PL,L1Q Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSIX-H
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	60 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	72 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	3,5mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 300µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	2770 pF @ 30 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	630mW (Ta), 104W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	175°C
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Verpakking / doos	8-PowerVDFN
Basisproductnummer	TPN4R806