Name: TPN19008QM,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPN19008QMLQTR-ND
Price: 1.2826 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TPN19008QM,LQ
Productnummer DigiKey	264-TPN19008QMLQTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPN19008QMLQCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPN19008QMLQDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TPN19008QM,LQ
Beschrijving	MOSFET N-CH 80V 34A 8TSON
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 80 V 34 A (Tc) 630mW (Ta), 57W (Tc) Opbouwmontage 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TPN19008QM,LQ Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSX-H
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	80 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	34 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	19mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	3,5V @ 200µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1400 pF @ 40 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	630mW (Ta), 57W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	175°C
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Verpakking / doos	8-PowerVDFN
Basisproductnummer	TPN19008