Name: TPN1600ANH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1600ANHL1QTR-ND
Price: 1.452 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TPN1600ANH,L1Q
Productnummer DigiKey	TPN1600ANHL1QTR-ND - Tape & Reel (TR) TPN1600ANHL1QCT-ND - Cut Tape (CT) TPN1600ANHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TPN1600ANH,L1Q
Beschrijving	MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 17 A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Opbouwmontage 8-TSON Advance (3,1x3,1)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TPN1600ANH,L1Q Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	17 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	16mOhm @ 8,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 200µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	19 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	1600 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	700mW (Ta), 42W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-TSON Advance (3,1x3,1)
Verpakking / doos	8-PowerVDFN
Basisproductnummer	TPN1600