Name: TPH6R30ANL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPH6R30ANL,L1QTR-ND
Price: 1.7666 EUR
Availability: InStock

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TPH6R30ANL,L1Q
Productnummer DigiKey	264-TPH6R30ANL,L1QTR-ND - Tape & Reel (TR) 264-TPH6R30ANL,L1QCT-ND - Cut Tape (CT) 264-TPH6R30ANL,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TPH6R30ANL,L1Q
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 66A/45A 8SOP
Standaard levertijd fabrikant	16 weken
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 45 A (Tc) 2,5W (T+), 54 (T+) Opbouwmontage 8-SOP Advance (5x5)
Gegevensblad	Gegevensblad
EDA/CAD-modellen	TPH6R30ANL,L1Q Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpakking	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Status onderdeel	Actief
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	45 A (Tc)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	6,3mOhm @ 22,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	2,5V @ 500µA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	4300 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	2,5W (T+), 54 (T+)
Bedrijfstemperatuur	150°C
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	8-SOP Advance (5x5)
Verpakking / doos	8-PowerVDFN
Basisproductnummer	TPH6R30