TK65G10N1,RQ Toshiba Semiconductor and Storage | Producten voor discrete halfgeleiders

TK65G10N1,RQ is verouderd en wordt niet meer geproduceerd.

Beschikbare alternatieven:

Similar

Toshiba Semiconductor and Storage

Op voorraad: 1.196

Eenheidsprijs : 2,04000 €

Similar

onsemi

Op voorraad: 1.379

Eenheidsprijs : 4,20000 €

Similar

STMicroelectronics

Op voorraad: 1.150

Eenheidsprijs : 3,52000 €

De getoonde afbeelding is slechts een weergave. Exacte specificaties zijn te vinden in het gegevensblad van het product.

TK65G10N1,RQ
Productnummer DigiKey	TK65G10N1RQTR-ND - Tape & Reel (TR)
Fabrikant	Toshiba Semiconductor and Storage
Productnummer fabrikant	TK65G10N1,RQ
Beschrijving	MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Klantreferentie
Gedetailleerde beschrijving	N-kanaal 100 V 65 A (Ta) 156W (Tc) Opbouwmontage D2PAK
EDA/CAD-modellen	TK65G10N1,RQ Modellen

Productkenmerken

Type	Beschrijving	Alles selecteren
Categorie	Producten voor discrete halfgeleiders Transistors FET's, MOSFET's Enkel FET's, MOSFET's
Fabr.	Toshiba Semiconductor and Storage
Serie	U-MOSVIII-H
Verpakking	Tape & Reel (TR)
Status onderdeel	Verouderd
FET-type	N-kanaal
Technologie	MOSFET (metaaloxide)
Spanning ontlading-bron (Vdss)	100 V
Stroom - continue ontlading (Id) bij 25°C	65 A (Ta)
Drivespanning (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds aan (max.) bij Id, Vgs	4,5mOhm @ 32,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bij Id	4V @ 1mA
Lading poort (Qg) (max.) bij Vgs	81 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (max.) bij Vds	5400 pF @ 50 V
FET-kenmerk	-
Vermogensdissipatie (max.)	156W (Tc)
Bedrijfstemperatuur	150°C (TJ)
Soort	-
Kwalificatie	-
Type montage	Opbouwmontage
Apparaatpakket leverancier	D2PAK
Verpakking / doos	TO-263-3, D2PAK (2 leads + tab), TO-263AB
Basisproductnummer	TK65G10